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DDR4Results: 53
制造商
Hynix
SAMSUNG
K4A8G165WC-BCRC
8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
24976
1+7.54600
10+6.79140
30+5.28220
K4AAG085WB-MCRC
16 Gb 2G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
20885
K4A8G085WB-BCRC
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
16925
1+6.40000
10+5.76000
30+4.48000
K4A8G165WB-BCRC
10000
1+24.54400
10+18.40800
30+15.95360
K4ABG165WA-MCTD
32 Gb 2G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
21405
1+63.08378
10+47.31283
30+41.00446
K4A8G045WB-BCPB
8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
3612
K4A8G085WB-BCPB
8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
3228
K4A8G085WB-BIRC
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
21766
1+52.40000
10+39.30000
30+34.06000
M393A4K40DB2-CVFCO
1364
M393A8G40AB2-CWEBY
2800
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