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DDR4Results: 53
制造商
Hynix
SAMSUNG
K4A8G085WC-BCRC
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
5226
K4AAG165WB-MCTD
16 Gb 1G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
3206
K4ABG085WA-MCTD
32 Gb 4G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
4357
K4AAG085WA-BCWE
16 Gb 2G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample
5739
1+25.16800
10+18.87600
30+16.35920
K4A8G045WB-BCTD
8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
4300
K4A8G165WC-BIWE
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
3644
1+4.95720
10+4.46148
30+3.47004
K4A8G045WC-BCPB
8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
5379
K4A4G165WE-BCWE
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
3060
K4A4G085WE-BITD
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
4304
K4A8G165WB-BIWE
4207
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