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DDR4Results: 53
制造商
Hynix
SAMSUNG
K4A4G165WE-BITD
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
5528
K4A8G165WB-BITD
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
5735
K4A8G085WC-BCWE
8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
20000
1+5.39172
10+4.85255
30+3.77420
K4A8G165WB-BCPB
8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
5158
K4A4G085WE-BIRC
4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA
5411
K4AAG165WB-MCRC
16 Gb 1G x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
26668
1+87.00000
10+65.25000
30+56.55000
K4A8G165WB-BIRC
8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
20416
1+14.76800
10+13.29120
30+10.33760
K4A8G165WC-BITD
3575
1+12.92890
10+11.63601
30+9.05023
K4A8G085WB-BITD
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
4095
K4AAG085WA-BCTD
16 Gb 2G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
4494
1+15.15800
10+13.64220
30+10.61060
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